-
1 Drain-Source-Kurzschlussstromverhältnis (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)
отношение начальных токов стока
Отношение меньшего значения начального тока стока к большему значению начального тока стока сдвоенного полевого транзистора.
Обозначение
IС(нач)1/IС(нач)2
IDSS1/IDSS2
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
- Drain-Source-Kurzschlussstromverhältnis (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Drain-Source-Kurzschlussstromverhältnis (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)
-
2 Differenz der Realteile der Ausgangsleitwerte (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)
разность активных выходных проводимостей
Абсолютное значение разности активных выходных проводимостей сдвоенного полевого транзистора.
Обозначение
g22(и)1 – g22(и)2
G22S1 – G22S2
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
DE
- Differenz der Realteile der Ausgangsleitwerte (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Differenz der Realteile der Ausgangsleitwerte (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)
-
3 Gate-Source-Spannungs-differenz (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)
разность напряжений затвор-исток
Абсолютное значение разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного полевого транзистора при заданном токе стока.
Обозначение
│Uзи1-Uзи2│
│UG1-UG2│
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Gate-Source-Spannungs-differenz (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)
-
4 Gatereststromdifferenz (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)
разность токов утечки затвора
-
Обозначение
IЗ(ут)1 – IЗ(ут)2
IGSS1 - IGSS2
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
DE
Немецко-русский словарь нормативно-технической терминологии > Gatereststromdifferenz (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)
-
5 Drain
-
6 Drain
Deutsch-Englisch Wörterbuch der Elektrotechnik und Elektronik > Drain
-
7 Quellenelektrode
Deutsch-Englisch Wörterbuch der Elektrotechnik und Elektronik > Quellenelektrode
-
8 Senke
Deutsch-Englisch Wörterbuch der Elektrotechnik und Elektronik > Senke
-
9 drain
drain I v ablassen, ableiten; entleeren; leer laufen; ablaufen drain II 1. Ablass m, Ableitung f, Abflussöffnung f; 2. ME Drain m, Senke f, Abzugselektrode f (eines Feldeffekttransistors)English-German dictionary of Electrical Engineering and Electronics > drain
-
10 отношение начальных токов стока
- Drain-Source-Kurzschlussstromverhältnis (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)
отношение начальных токов стока
Отношение меньшего значения начального тока стока к большему значению начального тока стока сдвоенного полевого транзистора.
Обозначение
IС(нач)1/IС(нач)2
IDSS1/IDSS2
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
- Drain-Source-Kurzschlussstromverhältnis (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > отношение начальных токов стока
-
11 разность активных выходных проводимостей
- Differenz der Realteile der Ausgangsleitwerte (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)
разность активных выходных проводимостей
Абсолютное значение разности активных выходных проводимостей сдвоенного полевого транзистора.
Обозначение
g22(и)1 – g22(и)2
G22S1 – G22S2
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
DE
- Differenz der Realteile der Ausgangsleitwerte (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > разность активных выходных проводимостей
-
12 разность напряжений затвор-исток
разность напряжений затвор-исток
Абсолютное значение разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного полевого транзистора при заданном токе стока.
Обозначение
│Uзи1-Uзи2│
│UG1-UG2│
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > разность напряжений затвор-исток
-
13 разность токов утечки затвора
разность токов утечки затвора
-
Обозначение
IЗ(ут)1 – IЗ(ут)2
IGSS1 - IGSS2
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
DE
Русско-немецкий словарь нормативно-технической терминологии > разность токов утечки затвора
-
14 rapport de courant de drain
отношение начальных токов стока
Отношение меньшего значения начального тока стока к большему значению начального тока стока сдвоенного полевого транзистора.
Обозначение
IС(нач)1/IС(нач)2
IDSS1/IDSS2
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
- Drain-Source-Kurzschlussstromverhältnis (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > rapport de courant de drain
-
15 différence des tension grille-source
разность напряжений затвор-исток
Абсолютное значение разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного полевого транзистора при заданном токе стока.
Обозначение
│Uзи1-Uзи2│
│UG1-UG2│
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > différence des tension grille-source
-
16 отношение начальных токов стока
отношение начальных токов стока
Отношение меньшего значения начального тока стока к большему значению начального тока стока сдвоенного полевого транзистора.
Обозначение
IС(нач)1/IС(нач)2
IDSS1/IDSS2
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
- Drain-Source-Kurzschlussstromverhältnis (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)
FR
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > отношение начальных токов стока
-
17 разность напряжений затвор-исток
разность напряжений затвор-исток
Абсолютное значение разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного полевого транзистора при заданном токе стока.
Обозначение
│Uзи1-Uзи2│
│UG1-UG2│
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > разность напряжений затвор-исток
-
18 отношение начальных токов стока
отношение начальных токов стока
Отношение меньшего значения начального тока стока к большему значению начального тока стока сдвоенного полевого транзистора.
Обозначение
IС(нач)1/IС(нач)2
IDSS1/IDSS2
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
- Drain-Source-Kurzschlussstromverhältnis (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > отношение начальных токов стока
-
19 разность напряжений затвор-исток
разность напряжений затвор-исток
Абсолютное значение разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного полевого транзистора при заданном токе стока.
Обозначение
│Uзи1-Uзи2│
│UG1-UG2│
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
FR
Русско-французский словарь нормативно-технической терминологии > разность напряжений затвор-исток
-
20 ratio of drain currents
отношение начальных токов стока
Отношение меньшего значения начального тока стока к большему значению начального тока стока сдвоенного полевого транзистора.
Обозначение
IС(нач)1/IС(нач)2
IDSS1/IDSS2
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
EN
DE
- Drain-Source-Kurzschlussstromverhältnis (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors)
FR
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > ratio of drain currents
- 1
- 2
См. также в других словарях:
Gate eines Feldeffekttransistors — lauko tranzistoriaus užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. field effect transistor gate vok. Gate eines Feldeffekttransistors, n rus. затвор полевого транзистора, m pranc. grille d un transistor à effet de champ, f … Radioelektronikos terminų žodynas
dinamische Kennliniensteilheit eines Feldeffekttransistors — dinaminis lauko tranzistoriaus statumas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dynamic transconductance of a field effect transistor vok. dinamische Kennliniensteilheit eines Feldeffekttransistors, f rus. динамическая крутизна… … Radioelektronikos terminų žodynas
Linearität — Der Begriff Linearität leitet sich vom lateinischen linea, Linie, bzw. linearis, aus Linien bestehend, ab und hat je nach Verwendung unterschiedliche Bedeutungen. Meist wird er verwendet, um eine geradlinige Beschaffenheit zu beschreiben.… … Deutsch Wikipedia
Strukturbreite — Technologiequerschnitt eines Feldeffekttransistors mit isoliertem Gate (IGFET) (hier: n Kanal MOSFET) Die Strukturgröße oder auch Strukturbreite (man spricht auch von Prozess oder Technologie, wenn man das gesamte auf diese Sturkturgröße… … Deutsch Wikipedia
Chemisch sensitiver Feldeffekttransistor — Ein chemisch sensitiver Feldeffekttransistor (kurz ChemFET) ist eine spezielle Form eines Feldeffekttransistors, der als Sensor für Chemikalien und chemische Eigenschaften von Substanzen eingesetzt wird. Der Aufbau eines ChemFETs entspricht im… … Deutsch Wikipedia
RDSON — ist eine unter Elektronikern „umgangssprachliche“ Bezeichnung für den Einschaltwiderstand oder auch einen minimalen Durchgangswiderstand eines Feldeffekttransistors. Die korrekte Schreibweise lautet RDS(on), wobei das R für den elektrischen… … Deutsch Wikipedia
Strukturgröße — Technologiequerschnitt eines Feldeffekttransistors mit isoliertem Gate (IGFET) (hier: n Kanal MOSFET) Die Strukturgröße oder auch Strukturbreite (man spricht auch von Prozess oder Technologie, wenn man das gesamte auf diese Strukturgröße… … Deutsch Wikipedia
Basis — Stützpunkt; Lager; Sockel; Fundament; Ausgangsebene; Grundlage; Ausgangspunkt; Grund * * * Ba|sis [ ba:zɪs], die; : etwas, worauf sich etwas gründet, stützt, was den festen Grund für etwas bildet, worauf jmd. aufbauen kann: Forschungen au … Universal-Lexikon
Technologieknoten — Der Begriff Technologieknoten (englisch technology node) bezeichnet in der Halbleitertechnik einen Meilenstein für die Definition einer Herstellungsprozessgeneration und bezieht sich im Wesentlichen auf die kleinste fotolithografisch… … Deutsch Wikipedia
Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode — Schaltzeichen der vier IGBT Typen Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate Elektrode (englisch insulated gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das zunehmend in der Leistungselektronik verwendet wird, da es… … Deutsch Wikipedia
Klirrfaktor — Der Klirrfaktor, Oberschwingungsgehalt oder auch Verzerrungsgehalt ist ein Maß für unerwünschte Verzerrungen eines ursprünglich sinusförmigen Wechselsignals, welche durch nichtlineares Verhalten einer Baugruppe (Verstärker, Analog Digital… … Deutsch Wikipedia
